¿Qué ocurrió?
Según un plan anunciado por ASML, Samsung y TSMC se preparan para pasar a los sistemas de litografía High NA EUV en la fabricación avanzada de chips. Samsung usará la tecnología en producción de DRAM desde 2028, mientras que TSMC la incorporará a sus procesos avanzados a partir de 2030.
Así, tras Intel, que ya emplea High NA EUV, los dos mayores fabricantes por contrato y de semiconductores del mundo darán también el salto a la litografía de nueva generación.
¿Qué significa High NA EUV?
High NA EUV es una forma mejorada de los sistemas actuales de litografía ultravioleta extrema, con una apertura numérica mayor. En términos prácticos: permite dibujar patrones de circuito más pequeños y densos sobre la oblea de silicio. Eso lo convierte en uno de los métodos a los que recurrirán los fabricantes en los nodos avanzados.
Las compañías llevan además un trabajo conjunto aparte: sustituir las actuales fotomáscaras de 6 pulgadas por otras mayores, de 12 pulgadas. El cambio podría elevar la eficiencia de fabricación y reducir el coste y la complejidad de los chips avanzados.
¿Por qué los plazos son tan largos?
Las fechas de 2028 y 2030 parecen lejanas a primera vista. La razón: pasar a nuevos sistemas de litografía no termina con instalar máquinas en una fábrica. Las líneas de producción, las fotomáscaras y otros procesos deben hacerse compatibles con los nuevos sistemas.
Las dificultades que encontró Intel al llevar esta tecnología a producción muestran que los calendarios anunciados por Samsung y TSMC también dependen de factores como la capacidad y las tasas de rendimiento. Son un objetivo más que un compromiso: pueden moverse según los problemas técnicos que surjan al pasar a producción de alto volumen.
¿Dónde está Intel ahora?
- Intel es la empresa que usa la tecnología High NA EUV de ASML en producción comercial.
- Se apoya en estos sistemas en su proceso 18A, con el que fabrica ciertos procesadores Core Ultra Series 3 (Panther Lake).
- Según ASML, Intel ha producido más de un millón de obleas con 18A hasta ahora.
- La compañía trabaja además en un proceso mejorado llamado 18A-P; se informa de que Apple lo está evaluando para sus futuros procesadores de la serie A.
La conexión con el lado de la IA
El vínculo con la IA es directo: no es casual que Samsung vaya a usar High NA EUV primero en la producción de DRAM. El cuello de botella de los aceleradores de IA lleva tiempo sin estar en el procesador sino en la memoria de alto ancho de banda que lo alimenta. Patrones de circuito más pequeños y densos significan capacidad directa en el lado de la memoria.
Un cambio de generación litográfica es, dicho de otro modo, la capa más baja del debate sobre el cómputo. Cuántos tokens puede producir un modelo acaba dependiendo de qué máquina puede dibujar qué finura de patrón sobre el silicio.
La noticia de fondo
El orden llama más la atención que las cifras. En litografía suelen moverse primero los mayores fabricantes; aquí ha ocurrido al revés: Intel llevó primero la tecnología a producción comercial y sus dos grandes rivales apuntan a dos y cuatro años después.
Eso puede significar una ventana de ventaja para Intel, pero también es un riesgo. La empresa que pasa primero a una nueva generación litográfica es la que primero se topa con los problemas de rendimiento; los calendarios tardíos de Samsung y TSMC pueden leerse también como la estrategia de esperar a que otro los resuelva.
Por eso importa la información de que Apple evalúa 18A-P: si un cliente así se pasa al proceso de Intel, el coste de ir primero habrá valido la pena. Si se queda en la evaluación, el precio del movimiento temprano se queda con Intel.